RF-180nm180nm/160nm/153nm 1.8V/3.3V G180nm/160nm/153nm 1.8V/5V G概述：公司180nm工艺是基于客户对于Fab兼容目的而开发可广泛应用的工艺。180nm逻辑工艺可提供1.8V电压core device、3.3V或者5V电压IO device， 并同时提供Native VT、Medium low VT器件、高性能电容、高精度poly电阻、可变电容器、电感等可选工艺可方便客户电路设计。Shrunk工艺可以有效的降低客户成本，同时Shrunk工艺的器件特性同不Shrunk工艺非常接近。公司 0.162um工艺是0.18um 90% Shrunk工艺, 公司 0.153um工艺是0.18um 85% Shrunk工艺。公司0.18um工艺提供OTP/MTP工艺，OTP/MTP 工艺同现有单多晶逻辑工艺平台兼容，不需要额外增加光刻层次。主要特点：0.18GCore VoltageTypical1.8VCore DeviceTypical VT√Low VT√IO Device3.3V√5V√SRAM Bltcell（um2）4.651
BCD-180nm180nm AB s-BCD G1（7V-24V）概述：公司提供的180nm Analog BCD体硅（非外延）工艺，拥有性能卓越的LDMOS/DECMOS表现以及精简的光刻层次，为DC-DC Convertor、电源管理IC、手机背光驱动、快充等应用提供了很好的解决方案。主要特点：1.非EPI工艺，高成本效益的掩膜层，具有竞争力的Rdson和BVdss性能；2.晶圆代工厂兼容5V CMOS， NLDMOS和PLDMOS高达24V；3.互补漏极扩展CMOS（DECMOS）高达40V的工作电压；4.丰富的选项包括寄生Zener/JFET/Schottky；5.MIM电容器、高片聚电阻器、E型保险丝；6.支持PDK和行业标准CAD工具；7.支持用于RDL的厚金属层和小焊盘开口。应用：DC-DC转换器；PMIC；LED照明驱动器；背光电路应用。180nm DB BCD G2S（7V-80V）概述：公司提供的180nm DB s-BCD G2S工艺平台提供了低导通电阻、高可靠性的LDMOS以及7V-80V宽工作电压器件可供选择。此外，平台还提供了BJT、Poly电阻、Zene
