1. 40nm LP
FabA的40纳米低功耗工艺采用业界标准1.1V核心器件电压，输入输出器件电压为2.5V，并支持低载1.8V、超载3.3V，满足不同应用产品的设计需求。40纳米低功耗工艺广泛应用于机顶盒、数字电视、无线互联、物联网、穿戴式装置及便携电子设备等产品市场。
2. 工艺器件选择
Technology Offering | 40nm LP | |
Vdd | 1.1V | |
Core Device | Low Vt | √ |
Standard Vt | √ | |
High Vt | √ | |
2.5V IO Device | 2.5V UD 1.8V | √ |
2.5V | √ | |
2.5V OD 3.3V | √ | |
SRAM | SP | √ |
DP | √ | |
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