Standard Analog-500nm/350nm500nm/350nm 5V Mixed-Signal 7V LDO platform适用于混合信号产品应用的500nm/350nm模块化CMOS技术。概述：0.5/0.35um是公司的标准数模混合工艺平台。0.5微米栅长，0.35微米工艺后段，双层多晶，四层金属，应用于模拟方面的工艺，提供5VMOS晶体管，隔离晶体管，ONO电容，多晶高阻等工艺模块。在设计规则和晶体管性能方面符合业界0.5微米CMOS工艺标准。详尽的设计规则，精确的SPICE模型，模拟和数字单元库，IP以及开发工具包可以支持主要的EDA工具供应商提供的平台。主要特点：1. 5V逻辑布局和性能与行业标准兼容；2. 0.5μm双聚合、四重金属、N井CMOS基本工艺；3.模块化概念；4. 5V栅极模块；5.双聚合电容器；6. 高阻值多聚电阻器；7.良好隔离的5V器件；8.具有2kV HBM ESD保护级别的I/O单元库。应用：混合信号产品；高精度混合信号电路；DC-DC转换器。
Standard Analog-350nm350nm 3V/5V MS用于混合信号产品应用的350nm模块化CMOS技术。概述：035MM是公司的标准数模混合工艺平台。0.35微米栅长，双层多晶，四层金属， 应用于模拟方面的工艺，提供两种工作电压，MOS晶体管，隔离晶体管，PIP电容，多晶高阻等工艺模块。在设计规则和晶体管性能方面符合业界0.35微米CMOS工艺标准。详尽的设计规则，精确的SPICE模型，模拟和数字单元库，IP以及开发工具包可以支持主要的EDA工具供应商提供的平台。主要特点：1. 3.3V逻辑布局和性能与行业标准兼容；2. 0.35μm双聚合、四重金属、N井CMOS基本工艺；3.模块化概念；4. 5V双栅极模块；5.双聚合电容器；6. 高阻值多聚电阻器；7.良好隔离的3.3V和5V器件；8.具有4kV HBM ESD保护级别的I/O单元库；9.典型和最坏情况模型——BSIM3v3.2---MOS，gummel poon---BJT，子电路模型——RESCAP。应用：混合信号产品；高精度混合信号电路；DC-DC转换器。
