1. 22nm ULP & 22nm ULL
FabA 22纳米工艺基于28纳米高效能精简型增强版工艺（28nm HKC+）开发。提供22纳米超低功耗（22nm ULP）和22纳米超低漏电（22nm ULL）两种工艺技术平台。与28nm HKC+相比，22nm ULP工艺面积缩小10%，速度提升10%，功耗降低20%；22nm ULL工艺可以进一步降低漏电并再降低约10%功耗。22纳米工艺技术可广泛应用于物联网、图像处理、可穿戴设备、移动通信、射频芯片、便携电子设备以及智能电视等领域。
2. 工艺器件选择
Technology Offering | 22nm ULP | 22nm ULL | |
Vdd | 0.9 | 0.8 | |
Core Device | Ultra-low Vt | √ | √ |
Low Vt | √ | √ | |
Standard Vt | √ | √ | |
High Vt | √ | √ | |
Ultra-high Vt | √ | √ | |
Extreme-high Vt | √ | ||
1.8V IO Device | 1.8V UD 1.2V | √ | √ |
1.8V UD 1.5V | √ | √ | |
Standard 1.8V | √ | √ | |
2.5V IO Device | 2.5V UD 1.8V | √ | √ |
Standard 2.5V | √ | √ | |
2.5V OD 3.3V | √ | √ | |
SRAM | SP | √ | √ |
IP | √ | √ | |
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