BCD-1.0μm

• 1μm 600V HVIC

概述：公司提供的1μm 600V HVIC高压浮栅工艺， 拥有200V/600V两个档位的NLDMOS/高压隔离岛。公司的高压互联自屏蔽技术荣获两项发明专利。为电机驱动、白色家电（IPM模块）、大功率LLC、无人机等应用提供了很好的解决方案。主要特点如下：

1. 具有成本效益的掩膜层，有竞争力的Rdson和BVdss性能；

2. 与代工厂兼容的5V CMOS，20V MV-LDMOS，200V/600V HVMOS和岛型；

3. 丰富的选项包括寄生Zener/JFET；

4. 支持PDK和行业标准的CAD工具；

5. 支持厚金属层。

应用：电机驱动器；IPM；LLC；无人驾驶飞行器。

• 1μm 60V/120V HVIC

概述：公司提供的1.0μm 60V/120V HVIC工艺， 拥有高可靠性的LDMOS以及精简的光刻层次，提供60V/120V两个档位的N/PLDMOS以及隔离岛。为手持电动工具、平衡车、无人机等应用提供了很好的解决方案。主要特点如下：

1. 具有成本效益的掩膜层，有竞争力的Rdson和BVdss性能；

2. 与代工厂兼容的5V CMOS，12V MV-LDMOS，60V/120V HV-LDMOS和岛型；

3. 丰富的选项包括寄生Zener/JFET；

4. 支持PDK和行业标准的CAD工具；

5. 支持厚金属层。

应用：电动工具；Ninebot；无人驾驶飞行器。

• 1μm 25V 40V HV

概述：1.0μm 25V 40V HV是公司的标准高压工艺平台之一。是以较少光刻层数实现的经济高压工艺，工艺特征为1.0μm线宽，单层多晶，双层金属，应用于数模混合的高压产品，工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS、25V或40V高压CMOS器件，以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。为了节省芯片面积，工艺提供1.0μm 前端0.5μm后端设计规则。主要特点如下：

1. 5V逻辑布局和性能与行业标准兼容；

2. 1.0μm前端、1.0μm或0.5μm后端设计规则；

3. 用于隔离器件的Epi工艺；

4. 模块化概念（HR/Zener/BJT/特殊要求）；

5. Vgs/Vds=5V/25或Vgs/Vds=5V/40V，Vgs/Vds=25V/25或Vgs/Vds=40V/40V HVCMOS；

6. 高阻值多聚电阻器；

7. 具有2KV HBM ESD保护级别的I/O单元库。

应用：LCD驱动器/LED驱动器；电源管理产品；电池保护IC。