流片与封装

Mixed-Signal/RF-153nm

  • 0.153μm CMOS EN5V

概述:公司提供的0.153μm CMOS EN (5V)工艺拥有具成本效益的光刻层数和紧凑的设计规则,为便携式设备电源管理、LED驱动和音频PA等应用提供了很好的解决方案。主要特点如下:

1. 0.153μm FEOLBEOL规则、单多晶体、富金属(铝)选项(支持2~6个薄/厚顶部金属选项);

2. 高频多晶硅电阻器、LVT N/PMOS和耗尽型NMOSOTPMTP/FT电子保险丝;

3. 通过PDK/CMD/库支持完整的设计套件。

应用:DC-DCLED显示器。