Standard Analog-250nm250nm 5V Salicide Analog适用于模拟产品应用的250nm模块化CMOS技术。概述：公司提供250nm S/A 5V CMOS工艺，采用STI前端、250nm后端和Salicide工艺。本平台具有更小的器件尺寸，更低的导通电阻，更稳定的器件可靠性以及极具竞争力的光刻层次。为LDO、数字音频功放、接口控制芯片等提供了优秀的解决方案。主要特点：1.STI FEOL/0.25 BEOL工艺；2.钴盐化工艺的低Rdson；3.单多晶硅栅极；4.简化层数，实现高集成度和成本效益的设计；5.MIM电容、高电阻、耗尽型MOS选项；6. -40至125℃宽温度范围建模；7.通过PDK/CMD/ESD解决方案提供全面的设计套件支持。应用：5V LDO、稳压器、充电泵；音频放大器；USB（2.0,3.0）HUB控制器；HDMI HUB控制器。
BCD-250nm250nm s-BCD G2（12V-60V）概述：公司提供成熟量产的250nm s-BCD G2(12V-60V)工艺拥有性能卓越的LDMOS/DECMOS表现以及精简的光刻层次，并提供独有的厚栅氧HV器件，为马达驱动、AC-DC/DC-DC Convertor、电源管理IC、快充等应用提供了很好的解决方案。主要特点：1.低压5V CMOS（最大工作电压：6V）；2.高压12~24V/30~60V可扩展；3.转换和模拟NLDMOS（薄型和厚型）、全隔离NLDMOS（12-24V）；4.丰富的选项：低电阻PLDMOS（12-24V），Zener、JFET和BJT；5. 5V标准单元库模拟PDK；6. 5V e-OTP，5V e-Fuse/FT e-Fuse。应用：电机驱动器；AC-DC/DC-DC转换器；PMIC。
