BCD-800nm

• 800nm 700V BCD G3S

概述：800nm 700V BCD G3S是公司的标准高压工艺平台之一，是以较经济的光刻层数实现700V高压工艺，特别合适离线式电源（AC/DC）和LED 驱动产品设计，特征为800nm前端/500nm后端，单层多晶，双层金属，工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS、40V中压CMOS器件、700V LDMOS、700V HV 耗尽管、700V JFET器件，以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。

主要特点如下：

1. 0.8um前端、0.5um后端设计规则；

2. 模块化概念（HR/Zener/BJT/700V JFET/特殊要求）；

3. 500V LDMOS(BVds＞550V)/650V LDMOS(BVds＞700V)/700V LDMOS(BVds＞750V)；

4. JFET Voff：-9V/-25V；

5. 高阻值多聚电阻器：1K或3K。

应用：离线电源（AC/DC）；LED驱动器。

• 800nm 40V 高压电源模拟

概述：800nm HV P/A是公司的新一代高压工艺平台，是以最少光刻层数实现的经济高压工艺，工艺特征为800nm FEOL/350nm BEOL线宽，双层多晶，四层金属，应用于数模混合的高压产品。工艺平台提供常规及隔离的5V低压CMOS、25V中压和40V高压CMOS器件，以及多晶高阻和齐纳二极管等器件。

主要特点如下：

1. 5V逻辑布局和性能与行业标准兼容；

2. 0.8um前端、0.35um后端设计规则；

3. 用于隔离器件的Epi工艺；

4. 模块化概念（HR/Zener/BJT/特殊要求）；

5. Vgs/Vds=5V/25或Vgs/Vds=5V/40V，Vgs/Vds=25V/25或Vgs/Vds=40V/40V HVCMOS；

6. 高阻值多聚电阻器；

7. 具有2KV HBM ESD保护级别的I/O单元库。

应用：LCD驱动器/LED驱动器；电源管理产品；电池保护IC。