28nm技术概述：FabB是中国首家提供28纳米前沿先进工艺技术的纯芯片代工企业。FabB的28纳米技术是业界的主流技术，包括传统的PolySiON（PS）工艺和栅极绝缘高介电金属栅极（HKMG）工艺。FabB 28纳米技术已于2013年第四季度冻结制程，并成功进入多项目晶圆（MPW）阶段，以支持客户对28纳米HKMG工艺的需求。多个第三方IP合作伙伴以及FabB的内部IP已准备就绪，以处理来自全球设计公司的各种项目。28nm特点：逻辑标准产品：Standard OfferingHKC+Core Vcc0.9VVtUltra-Low√Low√Standard√High√1.8V I/O1.8V UD 1.2V√1.8V UD 1.5V√1.8V√2.5V I/O2.5V UD 1.8V√2.5V√2.5V OD 3V√SRAMSP√IP√
基于业界主流的多晶硅（PolySiON）工艺和后栅极的高介电常数金属栅极（Gate-last HKMG）工艺，推出28纳米低功耗（28nm LP）、28纳米高效能精简型增强版（28nm HKC+）和28纳米NP split gate工艺（28nm HKL+）三种工艺平台供客户选择。28nm LP28纳米低功耗（28nm LP）工艺技术提供1.05V/1.8V（2.5V）标准工作电压。相对前代40纳米工艺，想通性能下面积缩小50%，同样速度下功耗减少30%。并且针对超低功耗需求做特定优化，成功开发特制单元库IP，进一步大幅降低漏电。提供包括射频在内的配套设计服务体系，应用于手机、平板电脑、智能电视、机顶盒、网络集成、3G/4G蜂窝基带、无线连接装置、物联网及其低功耗应用，服务于全球芯片设计公司。28nm HKC+ 28nm HKL+采用后栅极的高介电常数金属栅极（gate-last HKMG）工艺，开发28纳米高效能精简型工艺技术（28nm HKC），核心电压为0.9V，输入输出电压支持1.8V和2.5V。进一步优化的28纳米高效能精简型增强版工艺技术（28nm HKC+）与28nm
