基于业界主流的多晶硅（PolySiON）工艺和后栅极的高介电常数金属栅极（Gate-last HKMG）工艺，推出28纳米低功耗（28nm LP）、28纳米高效能精简型增强版（28nm HKC+）和28纳米NP split gate工艺（28nm HKL+）三种工艺平台供客户选择。

1. 28nm LP

28纳米低功耗（28nm LP）工艺技术提供1.05V/1.8V（2.5V）标准工作电压。相对前代40纳米工艺，想通性能下面积缩小50%，同样速度下功耗减少30%。并且针对超低功耗需求做特定优化，成功开发特制单元库IP，进一步大幅降低漏电。提供包括射频在内的配套设计服务体系，应用于手机、平板电脑、智能电视、机顶盒、网络集成、3G/4G蜂窝基带、无线连接装置、物联网及其低功耗应用，服务于全球芯片设计公司。

2. 28nm HKC+ & 28nm HKL+

采用后栅极的高介电常数金属栅极（gate-last HKMG）工艺，开发28纳米高效能精简型工艺技术（28nm HKC），核心电压为0.9V，输入输出电压支持1.8V和2.5V。进一步优化的28纳米高效能精简型增强版工艺技术（28nm HKC+）与28nm HKC相比，速度进一步提升15%，漏电降低30%。28nm HKC+目标产品包括智能手机、平板电脑、穿戴装置、物联网集成、射频芯片、消费性产品的中央处理器及各类系统单芯片应用。28nm HKL+则提供更优于28nm HKC+的高性能工艺，采用N/P split gate工艺，有其工艺的特定优势。

3. 工艺器件选择