Mixed-Signal/RF-110nm
0.11 Ultra-low Leakage
概述：公司0.11 ULL采用了铝互连技术，1P8M架构，提供1.5V内核器件及3.3V输入输出器件，具备超低漏电特点，器件特征Ioff (pA/um)<0.5。主要特点如下：
1. 单聚合、八金属层工艺；
2. 采用低K FSG材料的铝后端；
3. 器件Ioff（典型值）<0.5 pA/um。
应用：MCU；物联网。
0.11 ULL flash
概述：公司0.11 ULL flash工艺是基于0.11 ULL工艺嵌入flash, 逻辑器件与ULL兼容。提供超低功耗模拟IP。主要特点如下：
1. 双聚合、八金属层工艺；
2. 采用低K FSG材料的铝后端；
3. 具有竞争力的闪存宏单元尺寸。
应用：MCU；物联网。
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