流片与封装

FabC-BCD-250nm

时间:2025-04-16作者:编辑:审核:阅读:214

BCD-250nm

  • 250nm s-BCD G212V-60V

概述:公司提供成熟量产的250nm s-BCD G2(12V-60V)工艺拥有性能卓越的LDMOS/DECMOS表现以及精简的光刻层次,并提供独有的厚栅氧HV器件,为马达驱动、AC-DC/DC-DC Convertor、电源管理IC、快充等应用提供了很好的解决方案。主要特点如下:

1. 低压5V CMOS(最大工作电压:6V);

2. 高压12~24V/30~60V可扩展;

3. 转换和模拟NLDMOS(薄型和厚型)、全隔离NLDMOS12-24V);

4. 丰富的选项:低电阻PLDMOS12-24V),ZenerJFETBJT

5. 5V标准单元库模拟PDK

6. 5V e-OTP5V e-Fuse/FT e-Fuse

应用:电机驱动器;AC-DC/DC-DC转换器;PMIC