BCD-180nm

• 180nm AB s-BCD G1（7V-24V）

概述：公司提供的180nm Analog BCD体硅（非外延）工艺，拥有性能卓越的LDMOS/DECMOS表现以及精简的光刻层次，为DC-DC Convertor、电源管理IC、手机背光驱动、快充等应用提供了很好的解决方案。主要特点如下：

1. 非EPI工艺，高成本效益的掩膜层，具有竞争力的Rdson和BVdss性能；

2. 晶圆代工厂兼容5V CMOS， NLDMOS和PLDMOS高达24V；

3. 互补漏极扩展CMOS（DECMOS）高达40V的工作电压；

4. 丰富的选项包括寄生Zener/JFET/Schottky；

5. MIM电容器、高片聚电阻器、E型保险丝；

6. 支持PDK和行业标准CAD工具；

7. 支持用于RDL的厚金属层和小焊盘开口。

应用：DC-DC转换器；PMIC；LED照明驱动器；背光电路应用。

• 180nm DB BCD G2S（7V-80V）

概述：公司提供的180nm DB s-BCD G2S工艺平台提供了低导通电阻、高可靠性的LDMOS以及7V-80V宽工作电压器件可供选择。此外，平台还提供了BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰富的寄生器件，以及针对不同工作电压的ESD保护方案，为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺方案。主要特点如下：

1. 低电压1.8V/5V CMOS；

2. 高压7V-80V；

3. 转换和模拟nLDMOS（7-80V），全隔离nLDMOS（7-40V）；

4. 低导通电阻pLDMOS（9-50V）；

5. 丰富的选项：Zener、BJT和SBD；

6. 1.8V和5V标准单元库；

7. 5V FT电子保险丝；

8. 5V MTP。

应用：电机驱动器；AC-DC/DC-DC转换器；PMIC。

• 180nm DB BCD G2S（80V-120V）

概述：公司提供的180nm DB s-BCD G2S(80-120V)工艺平台提供了80V-120V的高工作电压器件可供选择。此外，平台还提供了BJT、Poly电阻、Zener、120V JFET等种类丰富的器件，以及针对不同工作电压的ESD保护方案，为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺方案。主要特点如下：

1. 低电压5V CMOS；

2. 高压80V-120V DEMOS和100V LDNMOS；

3. 15V全ISO DE NMOS；

4. 丰富的选项：Zener、BJT和JFET；

5. 5V标准单元库；

6. 5V FT电子保险丝。

应用：BMS；AC-DC转换器。

• 180nm DB BCD G3（7V-40V）

概述：公司第三代180nm BCD工艺平台提供了低导通电阻、高可靠性的LDMOS以及精简的光刻层次，可覆盖7V-40V的宽工作电压范围。 此外，平台还提供了BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰富的寄生器件，以及针对不同工作电压的ESD保护方案，为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺方案。主要特点如下：

1. 低电压5V CMOS；

2. 高压23V/35V/45V DEMOS；

3. 转换和模拟NLDMOS（7-40V），全隔离NLDMOS（7-24V）；

4. 低导通电阻PLDMOS（7-40V）；

5. 丰富的选项：Zener、BJT和SBD；

6. 5V标准单元库；

7. 5V 电子保险丝/FT电子保险丝；

8. 5V MTP（psub-iso）。

应用：电机驱动器；AC-DC/DC-DC转换器；过压保护；PMIC。