RF-180nm

• 180nm/160nm/153nm 1.8V/3.3V G

• 180nm/160nm/153nm 1.8V/5V G

概述：公司180nm工艺是基于客户对于Fab兼容目的而开发可广泛应用的工艺。180nm逻辑工艺可提供1.8V电压core device、3.3V或者5V电压IO device， 并同时提供Native VT、Medium low VT器件、高性能电容、高精度poly电阻、可变电容器、电感等可选工艺可方便客户电路设计。

Shrunk工艺可以有效的降低客户成本，同时Shrunk工艺的器件特性同不Shrunk工艺非常接近。公司0.162um工艺是0.18um 90% Shrunk工艺, 公司 0.153um工艺是0.18um 85% Shrunk工艺。公司0.18um工艺提供OTP/MTP工艺，OTP/MTP 工艺同现有单多晶逻辑工艺平台兼容，不需要额外增加光刻层次。

主要特点：

 180nm工艺系列：

• 180nm CMOS EN（3.3V or 5V）

概述：公司提供的180nm CMOS EN (3.3V or 5V)工艺拥有极具竞争力的光刻次数和紧凑的设计规则，为DC-DC、LED屏驱动、音频功放、MCU等应用提供了很好的解决方案。主要特点如下：

1. 单多晶体、丰富的金属（铝）选项（支持2-6个薄/厚顶部金属选项）；

2. 高频多晶硅电阻器、MIM/MOS电容器、OTP/FT电子保险丝和其他丰富器件选项；

3. 完整的设计套件支持包括PDK、CMD和库。

应用：DC-DC；LED显示器；音频放大器；MCU。

• 180nm e-Flash

概述：公司提供的180nm e-Flash工艺兼容180nm logic工艺，提供业界具有竞争力的闪存IP，高可靠性，低功耗和低成本，为智能卡、各类屏接触控制、MCU等应用提供了很好的解决方案。主要特点如下：

1. 双层多晶硅，支持4-6个顶部金属选项；

2. 具有工业竞争力的闪存宏单元尺寸，低电压、低功耗运行；

3. 完整的设计套件支持PDK/标准单元/IO库。

应用：智能卡；触摸屏控制器；MCU。