NAND Flash

时间:2025-04-21作者:编辑:审核:阅读:214

1.简介

NAND闪存，具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，非常适合存储连续数据，为低成本消费设备提供更高的储存密度，更快的写入和擦除速度。

CFX NAND Flash针对512Mb以上代码存储密度段提供更具优势的解决方案，并行NAND提供2048+64/128的页面大小，足以容纳4~8bit的ECC操作以应对工业级需求。

技术优势：高可靠性、低功耗、数据交换速度快、耐温范围广。

2.产品图片

3.技术参数

容量	1Gbit to 16Gbit
工作电压	2.7 to 3.6 volt
工作温度	-40°C to +85C
时钟频率	80MHz to 120MHz
编程时间	Page 0.2ms
擦除时间	Block:2ms; Chip:2s
功耗	30mA active current; 50uA power down current
Cycling耐久性	Minimum 30K
数据保持时间	20 years
封装形式	TSSOP48