1.简介

该IP GDDR6X/6 Combo PHY完全符合JEDEC GDDR6X/6标准。其中，NRZ GDDR6每引脚支持速率为20Gbps而PAM4 GDDR6X每引脚速率高达24Gbps。GDDR6/6X IP支持2通道，每通道16位，每个存储设备总数据宽度为32位。

当每引脚速率达到20 Gbps/24Gbps时，该IP的GDDR6/6X PHY可为每个存储设备提供高达80Gbps或96Gbps的最大带宽。该PHY支持先进的FinFET工艺节点，以满足高端客户的集成需求。

2.亮点

• 高带宽、支持所有先进工艺（从14/12nm到3nm）

• GDDR6/6X Combo PHY和控制器已量产验证

• 提供封装和PCB服务，支持高达24Gbps的速率

• 全方位支持：IP 集成、封装/测试、系统优化和生产支持

3.功能

• GDDR6/6X PHY，数据速率高达20Gbps(GDDR6)和24Gbps(GDDR6X)

• 兼容伪开漏(POD-135)输出

• 驱动强度和ODT自动校准

• PHY独立自动/手动 Command/Address training

• PHY独立自动 WCK2CK training

• PHY独立自动/手动 Read training

• PHY独立 RX Vref training

• PHY独立自动/手动 Write training

• 支持 WDBI/RDBI/CABI 功能

• 支持 EDC QDR/DDR 模式

• 数据输入支持Rx DFE均衡技术，可配置每个引脚Receiver特性

• 支持写入和读取CRC

• 支持每比特Tx和Rx数据相位延迟和VREF调整

• 内置高性能低抖动PLL

• 支持Tx De-emphasis EQ和Rx DFE EQ，提高信号完整性

• 支持四倍数据速率(QDR)和双倍数据速率(DDR)数据(WCK)模式

• 支持动态Read/Write training，具有自动刷新同步功能

• 支持动态电压/温度跟踪校准

• 支持独立的TX/RX/CMD延迟线

• 支持FR4 PCB材料

• 可选封装/PCB设计和SI/PI分析服务

• 支持Micron、Samsung、Hynix颗粒

4.标准交付物

• LEF

• 布局布线abstracts

• GDSII文件

• LVS网表

• IO的HSPICE仿真网表（可选）

• 数据手册、应用说明

• 硅片验证和ESD测试结果

• PCB参考设计和封装电气模型（可选）

• 文档

5.示例应用